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深圳市力拓辉电子有限公司
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产品信息
料号：SQ2319ADS-T1-BE3
品牌：Vishay
封装：SOT-23-3
批次：22+
数量：6000个
备注：全新原厂货品，支持订货，量大价格可谈，详情面议！
Vishay品牌全系列支持询价订货！量大价优！
产品参数：
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 4.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 75 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 10.5 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
商标: Vishay / Siliconix
下降时间: 17 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 18 ns
系列: SQ
工厂包装数量：3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
零件号别名: SQ2319ADS-T1_GE3
品牌：Vishay
封装：SOT-23-3
批次：22+
数量：6000个
备注：全新原厂货品，支持订货，量大价格可谈，详情面议！
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产品参数：
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 4.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 75 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 10.5 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
商标: Vishay / Siliconix
下降时间: 17 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 18 ns
系列: SQ
工厂包装数量：3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
零件号别名: SQ2319ADS-T1_GE3