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深圳市力拓辉电子有限公司
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产品信息
料号：IRF1324STRL-7PPBF
品牌：IR
封装：TO236-7
批次：17+
数量：2000
备注：全新原厂货品，支持订货，量大价格可谈，详情面议！
IR 品牌全系列支持询价订货！量大价优！
产品参数：
制造商：Infineon Technologies
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：24 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：240A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）：1 毫欧 @ 160A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）：252 nC @ 10 V
Vgs（大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）：7700 pF @ 19 V
功率耗散（大值）：300W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：D2PAK（7-Lead）
封装/外壳：TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB
品牌：IR
封装：TO236-7
批次：17+
数量：2000
备注：全新原厂货品，支持订货，量大价格可谈，详情面议！
IR 品牌全系列支持询价订货！量大价优！
产品参数：
制造商：Infineon Technologies
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：24 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：240A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）：1 毫欧 @ 160A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）：252 nC @ 10 V
Vgs（大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）：7700 pF @ 19 V
功率耗散（大值）：300W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：D2PAK（7-Lead）
封装/外壳：TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB